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TI, SiC MOSFET 센싱 통합한 절연 게이트 드라이버

에너지 절약 및 고전압 시스템 보호

TI, SiC MOSFET 센싱 통합한 절연 게이트 드라이버 - 다아라매거진 신기술&신제품

TI는 첨단 모니터링 기능과 보호 기능을 제공하는 새로운 절연 게이트 드라이버를 출시했다고 발표했다.

TI 측은 이번에 공개된UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750은 트랙션 인버터, 온보드 충전기, 솔라 인버터, 모터 드라이브에서 더 작고 효율적이며 뛰어난 성능의 디자인을 구현할 수 있다고 설명했다.

공개된 디바이스들은 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)와 실리콘 카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)를 위한 집적 통합 센싱 기능을 제공한다.

TI의 스티브 램버시스(Steve Lambouses) 고전압 전력 제품 담당 부사장은 20일자 발표자료에서 ‘고전압 모터 드라이브와 전원 공급 애플리케이션에서 시스템 견고성에 대한 요구조건이 점점 까다로워지고 있다’며 ‘절연 기술을 사용하는 TI의 새로운 게이트 드라이버는 다른 통합 기능과 결합해서 엔지니어가 공간과 비용을 최소화하고, 보다 신속하게 신뢰할 수 있는 시스템 생산 단계로 진입할 수 있도록 지원한다고 전했다.
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